Numéro
J. Physique Lett.
Volume 36, Numéro 11, novembre 1975
Page(s) 271 - 273
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:019750036011027100
J. Physique Lett. 36, 271-273 (1975)
DOI: 10.1051/jphyslet:019750036011027100

Superconducting properties of aluminium thin films after ion implantation at liquid helium temperatures

A.M. Lamoise1, J. Chaumont1, F. Meunier2 et H. Bernas3

1  Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse, Université Paris-Sud, 91406 Orsay, France
2  Laboratoire de Physique des Solides, associé au C.N.R.S., Université Paris-Sud, 91405 Orsay, France
3  Institut de Physique Nucléaire, Université Paris-Sud, 91406 Orsay, France


Abstract
Using a recent modification of the Orsay ion implantor, Al, O, He, H and D were implanted into Al thin films at temperatures below 6 K. The critical temperature Tc of the implanted films depends on the implanted ion dose and range distribution as well as on radiation damage effects. The higher limit of Tc ranges from 2.7 K to 4.1 K for Al, O and He implantations. It reaches 6.75 K for H, at an average concentration near AlH2.


Résumé
La température critique de films minces d'aluminium a été mesurée après implantation d'ions Al, O, He, D et H à des températures inférieures à 6 K, sans réchauffement des échantillons. Les résultats dépendent de la dose et du profil d'implantation, ainsi que des défauts créés. Les limites supérieures des températures critiques obtenues se trouvent entre 2,7 K et 4,1 K après implantation de Al, O et He. Elle atteint 6,75 K pour H, à une concentration moyenne proche de AlH2.

PACS
7430E - Thermal and thermodynamic properties of superconductors.
7470 - Superconducting materials.
7475 - Superconducting films.
3220 - Superconducting materials.

Key words
aluminium -- ion implantation -- superconducting materials -- superconducting thin films -- superconducting transition point -- ion implantation -- Al -- O -- He -- H -- D -- critical temperature -- Al thin films -- liquid He temperatures -- superconducting properties