J. Physique Lett. 44, 393-401 (1983)
DOI: 10.1051/jphyslet:019830044010039300
ESR in the two phases of the magnetic semiconductor GaCr4S 8
P. Huguet1, G. Alquié1, M. Potel2 et M. Sergent21 Laboratoire de dispositifs Infrarouge et de Résonance Magnétique, Université Pierre et Marie Curie, Tour 12, 2e étage, 4, place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
2 Laboratoire de Chimie Minérale B, L. A. 254, Campus de Beaulieu, Avenue du Général Leclerc, 35042 Rennes Cedex, France
Abstract
We present new results obtained from ESR experiments in the paramagnetic and magnetic ordered states of both crystallographic phases of the magnetic semiconductor GaCr4S8. We observe a critical behaviour typical of magnetic phase transitions, resulting in a shift and a broadening of the resonance line as well as a distortion of its shape. These features are discussed and related to the presence of magnetization fluctuations.
Résumé
Des résultats nouveaux sur les deux phases cristallographiques du semiconducteur magnétique GaCr4S8 sont présentés ; ils ont été obtenus par resonance de spins électroniques dans les états paramagnétique et magnétique ordonné de ces composés. Un comportement typique des transitions de phases magnétiques est observé; il est caractérisé par un déplacement et un élargissement du signal de résonance, ainsi que par une modification de sa forme. Ces effets sont interprétés en relation avec la présence de fluctuations d'aimantation.
7540 - Critical point effects, specific heats, short range order in magnetic materials.
7630 - Electron paramagnetic resonance and relaxation condensed matter.
Key words
EPR line breadth -- gallium compounds -- magnetic semiconductors -- magnetic transitions -- magnetisation -- ternary semiconductors -- ternary semiconductor -- paramagnetic state -- line broadening -- ESR -- magnetic semiconductor -- GaCr sub 4 S sub 8 -- magnetically ordered states -- critical behaviour -- magnetic phase transitions -- magnetization fluctuations