J. Physique Lett. 45, 133-136 (1984)
DOI: 10.1051/jphyslet:01984004503013300
Some remarks on the review « Quantitative evaluation of the EBIC contrast of dislocations » by C. Donolato
L. PasemannSektion Physik der Karl-Marx-Universität Leipzig, Arbeitsgemeinschaft A3B 5-Halbleiter, 7010 Leipzig, Karl-Marx-Platz, Hauptgebäude, D.R.G.
Abstract
Contrary views on an appropriate representation of the recombination strength of a dislocation are discussed with the consequence that a new fonction is proposed which describes the recombination strength nearly independent of the lifetime of the bulk.
Résumé
La formulation donnée par divers auteurs, de l'efficacité de recombinaison d'une dislocation est discutée. On propose finalement une nouvelle expression qui est quasiment indépendante de la durée de vie des porteurs du matériau massif.
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
Key words
dislocations -- electron hole recombination -- scanning electron microscope examination of materials -- EBIC contrast -- recombination strength -- dislocation