J. Physique Lett. 41, 337-340 (1980)
DOI: 10.1051/jphyslet:019800041014033700

Electron energy loss measurements on the gold-silicon interface.

F. Salvan, A. Cros et J. Derrien

Faculté des Sciences de Luminy, Département de Physique, Case 901, 13288 Marseille Cedex 2, France

Abstract
Gold films deposited at room temperatures on Si are analysed by Auger and electron energy loss spectroscopies which reveal the existence of : 1) a diffuse interface ; 2) a pure gold film; 3) a mixed gold-silicon layer on top of the film. Loss spectra display gold d band features related to electronic properties of gold-silicon alloys. An estimation of the composition in the monolayer range gives nearly the eutectic Au0.81Si0.19. Annealing effects are also investigated.

Résumé
Des films d'or déposés à température ambiante sur du silicium sont analysés par spectroscopie Auger et par pertes d'énergie, révélant ainsi l'existence de : 1) un interface diffus ; 2) un film d'or pur; 3) une couche mixte or-silicium au-dessus du film. Les aspects des spectres de perte induits par la bande d de l'or sont reliés aux propriétés électroniques des alliages or-silicium. Une estimation de la composition à la monocouche donne environ l'eutectique Au0,81Si0,19. Les effets de recuits sont aussi examinés.

PACS
7320 - Electronic surface states.
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.
7920F - Electron surface impact: Auger emission.
7920K - Other electron surface impact phenomena.

Key words
Auger effect -- electron energy loss spectra -- gold -- interface electron states -- semiconductor metal boundaries -- silicon -- electron energy loss spectroscopies -- diffuse interface -- d band -- electronic properties -- composition -- monolayer range -- eutectic Au sub 0.81 Si sub 0.19 -- Au Si interface -- AES -- annealing