J. Physique Lett. 43, 845-851 (1982)
DOI: 10.1051/jphyslet:019820043024084500

Non-random distributions in binary crystals : from order to total disorder

J. Duran¹ et J.P. Lemaistre<sup>2

1</sup>  Laboratoire d'Optique de la Matière Condensée (Luminescence), Université P. et M. Curie, Tour 13, 4, place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
²  Centre de Physique Moléculaire Optique et Hertzienne, Université de Bordeaux 1, 33405 Talence et Centre de Mécanique Ondulatoire Appliquée, 23, rue du Maroc, 75019 Paris, France

Abstract
The basic idea for generating non-statistical distributions in binary crystals lies in the computer simulation of an epitaxial crystal growth where the interactions between the components are taken into account. The resulting non-statistical distributions are described in terms of three pertinent parameters (interaction and translational order parameters). We show that, by varying the interaction parameter, we are able to cover continuously the range between totally disordered and purely ordered crystals.

Résumé
Ce travail propose un modèle théorique pour la génération de distributions non aléatoires d'ions ou de molécules dans les cristaux binaires. Il consiste à simuler par ordinateur la croissance épitaxiale d'un cristal dans lequel on tient compte des interactions entre les différents constituants. La définition d'un paramètre d'interaction et de paramètres d'ordre translationnels permet une description continue allant du système totalement désordonné au système parfaitement ordonné.

PACS
6150C - Physics of crystal growth.
6170W - Impurity concentration, distribution, and gradients.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.

Key words
crystal growth -- digital simulation -- epitaxial growth -- impurity distribution -- binary crystals -- order -- total disorder -- non statistical distributions -- computer simulation -- epitaxial crystal growth -- translational order parameters -- interaction parameter