J. Physique Lett. 43, 291-294 (1982)
DOI: 10.1051/jphyslet:01982004308029100

Pulsed annealing of semiconductors by microwave energy

P. Chenevier, J. Cohen et G. Kamarinos

Laboratoire de Physique des Composants à Semiconducteurs , ENSERG, 23, rue des Martyrs, 38031 Grenoble Cedex, France

Abstract
A new method for annealing semiconductors using pulsed microwave power is presented. It has a very good energy efficiency (up to 30 %), it results in a very good spatial homogeneity of the annealed sample, and important surfaces can be treated at once. The experimental set-up is given. We show the possibility to anneal implanted silicon. For high resistivity samples a simultaneous illumination of the treated surface is needed.

Résumé
Une nouvelle méthode de recuit pulsé de semiconducteurs par énergie microonde est proposée et testée. Elle présente un très bon rendement énergétique global (20 à 30 %) et elle permet des recuits d'une très bonne homogénéité spatiale des surfaces importantes. Le principe de la méthode ainsi que le montage expérimental relatif aux premiers essais sont décrits. Nous montrons la possibilité de recuire des couches implantées de silicium à condition d'éclairer l'échantillon.

PACS
6180 - Radiation damage and other irradiation effects.
8160C - Surface treatment and degradation in semiconductor technology.
2520C - Elemental semiconductors.
2550E - Surface treatment semiconductor technology.

Key words
annealing -- elemental semiconductors -- semiconductor technology -- semiconductors -- silicon -- pulsed annealing -- ion implantation -- semiconductors -- microwave energy