J. Physique Lett. 44, 1021-1026 (1983)
DOI: 10.1051/jphyslet:0198300440240102100

One and two-dimensional quantum localization in GaAs wires of rectangular cross-sections

M. Laviron¹, P. Averbuch², H. Godfrin² et R.E. Rapp<sup>2

1</sup>  L.C.R. Thomson-CSF, 91401 Orsay Cedex, France
²  Centre de Recherches sur les Très Basses Températures, CNRS, BP 166 X, 38042 Grenoble Cedex, France

Abstract
We have measured the thermal behaviour of the resistance of three GaAs wires (thickness : 0.32 μm, widths : 0.8 ; 2.4 and 5.4 μm; lengths : 400, 400 and 200 μm) produced by lithographic techniques. We observe a cross-over between a one-dimensional regime, at low temperatures, and a two-dimensional regime, above 1 K. In both limits, the results are similar to those observed separately on 1d and 2d samples in other systems.

Résumé
Nous avons mesuré la variation thermique de la résistance de trois fils gravés d'AsGa (épaisseur : 0,32 μm; largeurs : 0,8; 2,4 et 5,4 μm, longueurs : 400, 400, 200 μm). On observe la transition entre un régime unidimensionnel à basses températures et un régime à deux dimensions au-dessus de 1 K. Dans les deux limites, les résultats sont analogues à ceux observés séparément dans des échantillons 1d et 2d sur d'autres systèmes.

PACS
7150 - Localized single particle electronic states.
7220D - General theory, carrier scattering mechanisms semiconductors/insulators.
7220P - Thermoelectric effects semiconductors/insulators.

Key words
electrical conductivity of crystalline semiconductors and insulators -- gallium arsenide -- localised electron states -- one dimensional conductivity -- thermoelectric effects in semiconductors and insulators -- one dimensional quantum localisation -- two dimensional quantum localization -- GaAs wires -- rectangular cross sections -- thermal behaviour -- resistance -- lithographic techniques -- one dimensional regime -- two dimensional regime