J. Physique Lett. 45, 935-941 (1984)
DOI: 10.1051/jphyslet:019840045019093500

Quantum Hall effect and Fermi surface instabilities in (TMTSF) 2ClO4

M. Ribault, J. Cooper, D. Jérome, D. Mailly, A. Moradpour et K. Bechgaard

Laboratoire de Physique des Solides, Bâtiment 510, Université Paris Sud, 91405 Orsay Cedex, France

Abstract
Peaks in magnetoresistance at the same magnetic field as the steps in the Hall voltage are observed in (TMTSF)2ClO4. These measurements were performed between 0.1 and 1.2 K, in magnetic fields up to 8.3 T, on a sample having a resistivity ratio R(T = 300 K, H = 0)/R(T → 0, H → 0) > 1 600. These results are discussed within a model associating the quantum Hall effect with phase transitions.

Résumé
Nous avons observé des pics de magnétorésistance au même champ magnétique que les marches de l'effet Hall dans le composé (TMTSF)2ClO 4. Les mesures ont été réalisées entre 0,1 K et 1,2 K dans des champs magnétiques allant jusqu'à 8,3 T, sur un échantillon ayant un rapport de résistivité supérieur à 1 600. Ces résultats sont discutés dans un modèle associant l'effet Hall quantique et les transitions de phase.

PACS
7125H - Fermi surface: calculations and measurements.
7430 - General properties of superconductors.
7470 - Superconducting materials.

Key words
Fermi surface -- Hall effect -- magnetoresistance -- organic compounds -- type II superconductors -- Landau levels -- type II superconductor -- Fermi surface instabilities -- magnetoresistance -- Hall voltage -- TMTSF sub 2 ClO sub 4 -- resistivity ratio -- quantum Hall effect -- phase transitions