Numéro
J. Physique Lett.
Volume 35, Numéro 7-8, juillet-aout 1974
Page(s) 103 - 105
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:01974003507-8010300
J. Physique Lett. 35, 103-105 (1974)
DOI: 10.1051/jphyslet:01974003507-8010300

Pressure dependence of the metal-semiconductor transition of K 2Pt(CN)4Br0.3.3 H2O

W.H.-G. Müller et D. Jérome

Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, 91405 Orsay, France


Abstract
Conductivity measurements under pressure of K2Pt(CN)4Br 0.3.3 H2O between room temperature and 60 K are reported. The strong pressure dependence at room temperature increases very rapidly with decreasing temperature. The results are discussed in terms of a transition from a one dimensional (1-D) metal to a semiconductor whose transition temperature decreases with increasing pressure. A coefficient d ln Tmfp/DP = -0,035 2 kbar -1 is measured for the mean-field Peierls temperature.


Résumé
Des mesures de conductivité ont été effectuées sous pression sur K2Pt(CN) 4Br0.3.3 H2O entre la température ambiante et 60 K. La forte variation sous pression est d'autant plus nette que la température est basse. Les résultats sont discutés à l'aide du modèle d'une transition d'un métal unidimensionnel (1-D) vers un semiconducteur dont la température de transition décroît sous pression. On obtient une variation de la température de Peierls en champ moyen d ln Tml p/dP = - 0,035 2 kbar-1.

PACS
7130 - Metal-insulator transitions and other electronic transitions.

Key words
Semiconductor metal transition -- Pressure effects -- Peierls transition -- Electrical conductivity -- Temperature effects -- Bromides -- Cyanides