Numéro
J. Physique Lett.
Volume 37, Numéro 4, avril 1976
Page(s) 85 - 87
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:0197600370408500
J. Physique Lett. 37, 85-87 (1976)
DOI: 10.1051/jphyslet:0197600370408500

Réflectivité de HfSe2, NiTe2, TiTe2 de 12 eV à 42 e

R. Mamy1, B. Thieblemont2 et O. Cerclier3

1  Laboratoire de Physique des Solides , Université Paul Sabatier, Toulouse et L.U.R.E., Orsay, France
2  Groupe de Physique des Milieux Condensés, Université Marseille-Luminy et L.U.R.E., Orsay, France
3  Laboratoire de Chimie des Matériaux, Université de Provence, Marseille, France


Abstract
The reflectivity of the layer structure compounds : HfSe2, NiTe 2, TiTe2 has been measured between 12 eV and 42 eV, using synchrotron radiation at Orsay (L.U.R.E.). The Hf, Te and Ti core level excitation spectra are discussed in terms of the conduction band densities of states.


Résumé
La réflectivité des composés lamellaires HfSe2, NiTe2 et TiTe2 a été mesurée entre 12 eV et 42 eV en utilisant le rayonnement synchrotron d'Orsay (L.U.R.E.). Les structures observées dues à l'excitation de niveaux profonds de Hf, Te et Ti servent de base pour un modèle qualitatif de densité d'états de conduction.

PACS
7125T - Electronic structure of crystalline semiconductor compounds and insulators.
7840 - Visible and ultraviolet spectra condensed matter.
7870D - X ray absorption and absorption edges condensed matter.

Key words
conduction bands -- hafnium compounds -- nickel compounds -- reflectivity -- titanium compounds -- visible and ultraviolet spectra of inorganic solids -- X ray absorption spectra -- HfSe sub 2 -- NiTe sub 2 -- TiTe sub 2 -- reflectivity -- layer structure compounds -- synchrotron radiation -- core level excitation spectra -- conducting band densities of states -- 12 eV to 42 eV -- UV -- X ray region