Numéro
J. Physique Lett.
Volume 38, Numéro 17, septembre 1977
Page(s) 351 - 353
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:019770038017035100
J. Physique Lett. 38, 351-353 (1977)
DOI: 10.1051/jphyslet:019770038017035100

Mise en évidence d'un état métastable du centre associé à l'oxygène dans GaAs

D. Bois et G. Vincent

Laboratoire de Physique de la Matière Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 20, avenue Albert-Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France


Abstract
A new photo-induced effect is reported in n type GaAs containing oxygene centre. The existence of an excited metastable state of this centre is demonstrated. A configurational curve diagram with large lattice relaxation is proposed to explain this new effect in GaAs.


Résumé
Nous décrivons un nouvel effet se produisant sous excitation optique dans GaAs de type n contenant le centre oxygène. Il prouve l'existence d'un état excité métastable de ce centre. Une courbe de configuration est proposée pour expliquer, grâce à une importante relaxation de réseau, ce nouvel effet dans GaAs.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2530D - Semiconductor metal interfaces.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- impurity electron states -- oxygen -- photocapacitance -- Schottky effect -- metastable state -- GaAs -- Schottky barrier photocapacitance -- n type GaAs -- configurational curve diagram -- lattice relaxation -- O -- photoinduced effect -- III V semiconductor