J. Physique Lett. 39, 113-117 (1978)
DOI: 10.1051/jphyslet:01978003908011300

Intrinsic defects in neutron-irradiated silicon an infrared study

F. Carton-Merlet¹, B. Pajot¹ et P. Vajda<sup>2

1</sup>  Laboratoire d'Infrarouge, Bât. 350, Université Paris XI, 91405 Orsay, France
²  Equipe de Recherche du C.N.R.S., Laboratoire de Chimie Physique, Bât. 350, Université Paris XI, 91405 Orsay, France

Abstract
We show that the low temperature observation of the near IR absorption bands at 3.3-3.6 μm in irradiated silicon can be monitored by illumination of the sample by infrared radiation of selected energies. This behaviour is ascribed to the capture of a photoelectron or to its photo-release by the defect involved, and we discuss its IR active charge state. We also report the observation of new IR absorption lines prior to annealing, due to intrinsic defects whose nature is briefly discussed in relation to the annealing results.

Résumé
On montre que la présence ou l'absence des bandes d'absorption observées à basse température entre 3,3 et 3,6 μm dans le silicium irradié peut être contrôlée par illumination de l'échantillon avec du rayonnement infrarouge d'énergie adéquate. Ceci correspond à la capture d'un photo-électron ou à la photo-éjection d'un électron par le défaut concerné, et l'on discute de l'état de charge optiquement actif du défaut. On rapporte aussi l'observation de nouvelles raies d'absorption IR dues à des défauts intrinsèques dont on discute brièvement la nature en fonction des résultats obtenus après recuit.

PACS
6180H - Neutron effects.
7830G - Infrared and Raman spectra in inorganic crystals.
7850G - Impurity and defect absorption in semiconductors.

Key words
elemental semiconductors -- impurity and defect absorption spectra of inorganic solids -- infrared spectra of inorganic solids -- neutron effects -- silicon -- low temperature -- near IR absorption bands -- intrinsic defects -- Si -- neutron irradiated -- elemental semiconductor