Numéro
J. Physique Lett.
Volume 39, Numéro 22, novembre 1978
Page(s) 443 - 446
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:019780039022044300
J. Physique Lett. 39, 443-446 (1978)
DOI: 10.1051/jphyslet:019780039022044300

Electron tunnelling of GaAs-Pb junctions under high pressure

J.P. Sorbier1 et P. Nédellec2

1  Groupe de Physique, Université de Provence, rue Henri-Poincaré, 13397 Marseille Cedex 4, France
2  Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, 91405 Orsay, France


Abstract
The conduction band distortion and LO phonon energy of GaAs, the transition temperature, the energy gap and the phonon energies in superconducting lead film, have been measured at pressures up to 30 kbar by electron tunnelling through Schottky barriers.


Résumé
Par effet tunnel sur des barrières de Schottky GaAs-Pb, on a étudié la déformation de la bande de conduction et la variation de l'énergie du phonon LO du GaAs, ainsi que la température critique, la bande d'énergie interdite et les énergies caractéristiques de phonons d'un film supraconducteur de plomb en fonction de la pression jusqu'à 30 kbar. On a établi une corrélation entre la variation des différents paramètres supraconducteurs.

PACS
7410 - Superconducting critical temperature, occurrence.
7450 - Superconductor tunnelling phenomena, proximity effects, and Josephson effect.
7470 - Superconducting materials.
3240C - Superconducting junction devices.

Key words
gallium arsenide -- high pressure effects in solids -- lattice phonons -- lead -- Schottky effect -- superconducting energy gap -- superconducting transition temperature -- superconductive tunnelling -- GaAs Pb junctions -- high pressure -- conduction band distortion -- LO phonon energy -- GaAs -- transition temperature -- energy gap -- phonon energies -- pressures up to 30 kbar -- electron tunnelling -- Schottky barriers -- superconductivity Pb film