Numéro
J. Physique Lett.
Volume 40, Numéro 7, avril 1979
Page(s) 161 - 164
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:01979004007016100
J. Physique Lett. 40, 161-164 (1979)
DOI: 10.1051/jphyslet:01979004007016100

Précipitation dans MgO implanté avec des ions alcalins

M. Treilleux et G. Chassagne

Département de Physique des Matériaux, Université Claude Bernard Lyon I, 43, bd du 11 novembre 1918, 69621 Villeurbanne, France


Abstract
Magnesium oxide single crystals implanted with Li+ and Na + ions and annealed have been observed by transmission electron microscopy. In the implantation zone these crystals exhibit a high density of dislocations, and precipitates of implanted particles nucleate preferably on these dislocations. When the lattice parameter is close to that of the matrix, a simple epitaxial relationship exists.


Résumé
Nous avons observé, par microscopie électronique à transmission, des monocristaux d'oxyde de magnésium implantés avec des ions Li+ et Na+ et recuits. Ces cristaux présentent, dans la zone d'implantation, une forte densité de dislocations, et les précipités de particules implantées se forment de préférence sur ces dislocations. Lorsque le paramètre cristallin est voisin de celui de la matrice, il y a épitaxie simple avec celle-ci.

PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6170T - Doping and implantation of impurities.
6180J - Ion beam effects.
6475 - Solubility, segregation, and mixing.
8140G - Other heat and thermomechanical treatments.

Key words
annealing -- dislocation density -- epitaxial growth -- ion implantation -- lithium -- magnesium compounds -- precipitation -- sodium -- transmission electron microscope examination of materials -- MgO -- alkali ions -- single crystals -- Li sup + -- Na sup + -- transmission electron microscopy -- implantation zone -- density of dislocations -- precipitates -- implanted particles -- epitaxial relationship -- annealed crystal