Numéro
J. Physique Lett.
Volume 41, Numéro 20, octobre 1980
Page(s) 483 - 486
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:019800041020048300
J. Physique Lett. 41, 483-486 (1980)
DOI: 10.1051/jphyslet:019800041020048300

Effect of substrate temperature and deposition rate on the photoconductivity of sputtered a-Si : H

H. Hamdi, A. Deneuville et J.C. Bruyere

Groupe des Transitions de Phases, C.N.R.S., B.P. 166, 38042 Grenoble Cedex, France


Abstract
The variation of the photoconductivity versus photon energy is reported for samples deposited at 150 °C, 190 °C and 250 °C at low (30 Å/min.) and high (˜ 150 Å/min.) deposition rates. The spin densities of the same samples are also reported. Taking into account the hydrogen concentration and distribution in these samples, a model according to the photoconductivity is mainly limited by the density and depth of shallow traps originating from hydrogen independent matrix defects is proposed.


Résumé
La variation de la photoconductivité en fonction de l'énergie des photons a été étudiée pour des échantillons produits à 150 °C, 190 °C et 250 °C à faible (30 Å/min.) et grande (˜ 150 Å/min.) vitesse de dépôt. De plus, les densités de spins ont été étudiées. Prenant en considération la concentration et la distribution de l'hydrogène, nous proposons un modèle selon lequel la photoconductivité est principalement limitée par la densité et la profondeur de pièges peu profonds provenant de défauts matrice non compensés par l'hydrogène.

PACS
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
7280N - Electrical conductivity of amorphous and glassy semiconductors.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
2520C - Elemental semiconductors.
2520F - Amorphous and glassy semiconductors.
4210 - Photoconducting materials and properties.

Key words
amorphous semiconductors -- electron traps -- elemental semiconductors -- hydrogen -- photoconductivity -- silicon -- sputtered coatings -- substrate temperature -- deposition rate -- sputtered -- Si:H -- spin densities -- shallow traps -- amorphous