Numéro
J. Physique Lett.
Volume 43, Numéro 11, juin 1982
Page(s) 405 - 409
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:019820043011040500
J. Physique Lett. 43, 405-409 (1982)
DOI: 10.1051/jphyslet:019820043011040500

Elastic constants of the layer compound GaS

A. Polian1, M. Grimsditch2, M. Fischer3 et M. Gatulle3

1  Laboratoire de Physique des Solides, Université Pierre et Marie Curie, 4, Place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
2  Max Planck Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstrasse 1, D 7000 Stuttgart 80, Germany
3  Département de Recherches Physiques, Université Pierre et Marie Curie, 4, Place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France


Abstract
The elastic constants of the layer semiconductor GaS were measured using Brillouin scattering, inelastic neutron scattering and ultrasonic techniques. The values obtained by these methods agree well with each other, but disagree with previous published values. From our values, the linear compressibilities are deduced and are shown to fit with the published experimental values. The calculation of the compressibilities using published elastic constants is also done for the related compounds GaSe and InSe. Our values of the compressibilities of GaSe are shown to be more reliable than the previous determination.


Résumé
Les constantes élastiques du semiconducteur lamellaire GaS ont été mesurées par diffusion Brillouin, diffusion inélastique de neutrons et par une méthode ultrasonore. Les valeurs obtenues par ces diverses méthodes sont cohérentes entre elles, mais sont différentes des valeurs publiées. A partir de nos valeurs, les compressibilités linéaires sont calculées, en bon accord avec les résultats expérimentaux publiés. Le calcul des compressibilités à partir des constantes élastiques a été effectué pour les composés voisins GaSe et InSe. Nos valeurs des compressibilités de GaSe sont plus sûres que la précédente détermination.

PACS
6220D - Elasticity, elastic constants.
7835 - Brillouin and Rayleigh scattering: other light scattering condensed matter.

Key words
Brillouin spectra -- compressibility -- elastic constants -- gallium compounds -- II VI semiconductors -- III VI semiconductors -- indium compounds -- neutron diffraction examination of materials -- layer compound -- GaS -- elastic constants -- layer semiconductor -- Brillouin scattering -- inelastic neutron scattering -- ultrasonic techniques -- linear compressibilities -- InSe -- GaSe