J. Physique Lett. 46, 507-511 (1985)
DOI: 10.1051/jphyslet:019850046011050700

Defected structural modulation in the charge density wave compounds 1T-TaS2 and 1T-TaSe2

G. Salvetti¹, C. Roucau¹, R. Ayroles¹, H. Mutka² et P. Molinié<sup>3

1</sup>  Laboratoire d'Optique Electronique, 29, rue Jeanne Marvig, B.P. 4347, 31055 Toulouse Cedex, France
²  Technical Research Centre of Finland, Reactor Laboratory, Otakaari 3, 02150 Espoo 15, Finland
³  Laboratoire de Physicochimie des Solides, Université de Nantes, 44072 Nantes Cedex, France

Abstract
The formation of defects in the structural modulation associated with charge density waves (CDW) has been studied by electron microscopy in 1T-TaS 2 and 1T-TaSe2. The irradiation with electrons creates lattice defects that pin the phase of the CDW. This pinning induces strain in the CDW and forms the CDW defects. The response of the commensurate CDW in 1T-TaSe 2 is more rigid with respect to the incommensurate 1T-TaS2 CDW in which the CDW dislocations are much easierly formed.

Résumé
Nous avons étudié, par microscopie électronique, la formation de défauts de la modulation structurale associée aux ondes de densité de charge (ODC) dans 1T-TaS2 et 1T-TaSe2. L'irradiation aux électrons crée des défauts ponctuels qui piègent la phase de l'ODC. Ce piégeage augmente la contrainte dans l'ODC et des défauts de l'ODC apparaissent. Dans 1T-TaS 2 les ODC incommensurables sont plus souples que celles commensurables dans 1T-TaSe2 et des dislocations de l'ODC se créent plus facilement.

PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6180F - Electron and positron effects.
7145 - Collective effects condensed matter electronic structure.

Key words
charge density waves -- dislocations -- electron beam effects -- electron microscope examination of materials -- tantalum compounds -- defected structural modulation -- electron irradiation -- charge density wave phase pinning -- charge density wave defects -- charge density wave dislocations -- defect formation -- charge density wave compounds -- 1T TaS sub 2 -- 1T TaSe sub 2 -- electron microscopy -- lattice defects