Journal de Physique Lettres

Resistivity annealing properties of aluminium thin films after ion implantation at liquid helium temperatures

A.M. Lamoise, J. Chaumont, F. Meunier et H. Bernas

J. Physique Lett., 36 12 (1975) 305-308

DOI: 10.1051/jphyslet:019750036012030500

A.M. Lamoise

J. Chaumont

F. Meunier

H. Bernas

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