J. Physique Lett. 38, 435-437 (1977)
DOI: 10.1051/jphyslet:019770038021043500

Percolation and superconductivity in ion-implanted aluminium films

F. Meunier¹, P. Pfeuty¹, A.M. Lamoise², J. Chaumont², H. Bernas³ et C. Cohen<sup>4

1</sup>  Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris XI, 91405 Orsay, France
²  Laboratoire René-Bernas du Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse, BP n° 1, 91406 Orsay, France
³  Institut de Physique Nucléaire, BP n° 1, 91406 Orsay, France
⁴  Groupe de Physique des Solides de l'E.N.S., Université Paris V, 2, place Jussieu, 75223 Paris, France

Abstract
Ion implantation of Si and Ge in Al thin films at 8 K produces alloys exhibiting enhanced superconducting transition temperatures (up to 8.35 K for Al 60Si40) and a metal-non metal transition at a volume concentration of 45 % Si. These results are compared to those obtained by other authors on films prepared by evaporation on cold substrate.

Résumé
L'implantation ionique de Si et Ge dans des films minces d'aluminium à 8 K conduit à des alliages dont la température critique supraconductrice est fortement augmentée (jusqu'à 8,35 K pour Al60Si40), et qui présentent une transition métal-non métal pour une concentration en volume de 45 % Si. Ces résultats sont comparés à ceux obtenus par ailleurs pour des films préparés par évaporation à froid.

PACS
7410 - Superconducting critical temperature, occurrence.
7470 - Superconducting materials.
7475 - Superconducting films.

Key words
aluminium alloys -- germanium alloys -- ion implantation -- silicon alloys -- superconducting thin films -- superconducting transition temperature -- type II superconductors -- superconductivity -- Al -- thin films -- 8K -- superconducting transition temperatures -- metal to nonmetal transition -- ion implantation -- Al Si alloy -- Al Ge alloy -- percolation