J. Physique Lett. 37, 287-289 (1976)
DOI: 10.1051/jphyslet:019760037011028700

Enhancement of the superconducting transition temperatures in ion-implanted aluminium alloys

A.M. Lamoise¹, J. Chaumont¹, F. Lalu¹, F. Meunier² et H. Bernas<sup>3

1</sup>  Laboratoire René-Bernas du Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse, 91406 Orsay, France
²  Laboratoire de Physique des Solides , Université Paris-Sud, 91405 Orsay, France
³  Institut de Physique Nucléaire, Université Paris-Sud, 91406 Orsay, France

Abstract
Random alloys of C, Si, and Ge with Al, prepared by ion implantation at liquid helium temperatures, have maximum superconducting transition temperatures Tc of 4.2 K (C), 7.35 K (Ge) and 8.35 K (Si). The latter value is the highest yet obtained for an Al-based alloy. All these values are obtained for covalent element concentrations of ˜ 25 %. The effect of lattice disorder is not found sufficient to account for the observed Tc enhancements.

Résumé
La température critique Tc d'alliages Al-C, d'Al-Ge et Al-Si, préparés par implantation ionique à très basse température atteint 4,2 K (C), 7,35 K (Ge) et 8,35 K (Si). Cette dernière valeur de Tc est la plus forte valeur obtenue à partir de l'aluminium. Toutes ces valeurs de Tc correspondent à des concentrations d'éléments covalents de l'ordre de 25 %. Le désordre ne peut, à lui seul, expliquer ces augmentations de températures critiques.

PACS
7410 - Superconducting critical temperature, occurrence.
7460M - Material effects on T/sub c, K, critical currents in type II superconductors.
7470 - Superconducting materials.
7475 - Superconducting films.

Key words
aluminium alloys -- germanium alloys -- ion implantation -- silicon alloys -- superconducting thin films -- superconducting transition temperature -- type II superconductors -- superconducting transition temperatures -- lattice disorder -- ion implanted alloys -- Al C alloy -- Al Ge alloy -- Al Si alloy