J. Physique Lett. 45, 999-1005 (1984)
DOI: 10.1051/jphyslet:019840045020099900

Interface positions measured at the lattice constant scale by Auger analysis on chemical bevels

J. Cazaux¹, G. Laurencin² et J. Olivier<sup>2

1</sup>  Faculté des Sciences, Lab. de Spectroscopie Electronique, U.E.R. Moulin de la Housse, 51062 Reims Cedex, France
²  Thomson-CSF, Lab. Central de Recherches, B.P. 10, 91401 Orsay Cedex, France

Abstract
Experimental results of Auger profiles obtained on chemical bevels of hetero-epitaxial structures (InP/Gaxln1-xAs/lnP) are reported. The theoretical analysis of these results shows that the positions of the interfaces and widths of the quantum wells can be determined with an accuracy of ± one lattice spacing (ultimate limit). The evolution of the concentration gradient is also suggested. Quantum wells of ˜ 3.5 nm thick (6 lattice spacings) are well resolved.

Résumé
Les résultats expérimentaux relatifs à des profils Auger obtenus sur des biseaux chimiques d'hétérostructures épitaxiées (InP/GaxIn1-xAs/InP) sont reportés. L'analyse théorique de ces résultats montre que la position des interfaces et la largeur des puits quantiques peut être déterminée avec une précision de ± une maille cristalline (limite ultime). L'évolution du gradient de concentration est aussi suggérée. Des puits quantiques de ˜ 3,5 nm d'épaisseur (6 mailles cristallines) sont bien résolus.

PACS
6848 - Solid solid interfaces.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
7920F - Electron surface impact: Auger emission.

Key words
Auger effect -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- indium compounds -- interface structure -- semiconductor superlattices -- quantum cell widths -- InP Ga sub x In sub 1 x As InP -- depth profiling -- semiconductors -- Auger analysis -- chemical bevels -- hetero epitaxial structures -- interfaces -- concentration gradients