Numéro |
J. Physique Lett.
Volume 45, Numéro 20, octobre 1984
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Page(s) | 999 - 1005 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyslet:019840045020099900 |
DOI: 10.1051/jphyslet:019840045020099900
Interface positions measured at the lattice constant scale by Auger analysis on chemical bevels
J. Cazaux1, G. Laurencin2 et J. Olivier21 Faculté des Sciences, Lab. de Spectroscopie Electronique, U.E.R. Moulin de la Housse, 51062 Reims Cedex, France
2 Thomson-CSF, Lab. Central de Recherches, B.P. 10, 91401 Orsay Cedex, France
Abstract
Experimental results of Auger profiles obtained on chemical bevels of hetero-epitaxial structures (InP/Gaxln1-xAs/lnP) are reported. The theoretical analysis of these results shows that the positions of the interfaces and widths of the quantum wells can be determined with an accuracy of ± one lattice spacing (ultimate limit). The evolution of the concentration gradient is also suggested. Quantum wells of ˜ 3.5 nm thick (6 lattice spacings) are well resolved.
Résumé
Les résultats expérimentaux relatifs à des profils Auger obtenus sur des biseaux chimiques d'hétérostructures épitaxiées (InP/GaxIn1-xAs/InP) sont reportés. L'analyse théorique de ces résultats montre que la position des interfaces et la largeur des puits quantiques peut être déterminée avec une précision de ± une maille cristalline (limite ultime). L'évolution du gradient de concentration est aussi suggérée. Des puits quantiques de ˜ 3,5 nm d'épaisseur (6 mailles cristallines) sont bien résolus.
6848 - Solid solid interfaces.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
7920F - Electron surface impact: Auger emission.
Key words
Auger effect -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- indium compounds -- interface structure -- semiconductor superlattices -- quantum cell widths -- InP Ga sub x In sub 1 x As InP -- depth profiling -- semiconductors -- Auger analysis -- chemical bevels -- hetero epitaxial structures -- interfaces -- concentration gradients