J. Physique Lett. 36, 149-151 (1975)
DOI: 10.1051/jphyslet:01975003605014900

Augmentation de la hauteur de barrière de diodes de Schottky au silicium : Application aux cellules solaires

J.P. Ponpon et P. Siffert

Centre de Recherches Nucléaires Laboratoire de Physique des Rayonnements et d'Electronique Nucléaire, 67037 Strasbourg Cedex, France

Abstract
The efficiency of Schottky silicon solar cells depends strongly on the barrier height of the metal-semiconductor contact. We show that it is possible to increase this barrier height up to about 1 eV either by the use of hafnium contacts on P type silicon, or by making an ion implantation before the realisation of a gold Schottky diode on N type silicon.

Résumé
Le rendement des cellules solaires au silicium réalisées par diode Schottky dépend essentiellement de la hauteur de la barrière de potentiel au contact métal-semiconducteur. On propose ici deux procédés permettant de porter cette barrière aux environs de 1 eV, soit par évaporation de hafnium sur du silicium P, soit par une implantation d'ions avant la formation d'une diode Schottky à l'or sur du silicium N.

PACS
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
2560H - Junction and barrier diodes.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
photodiodes -- Schottky barrier diodes -- solar cells -- Schottky Si diodes -- metal semiconductor contact -- Hf contacts -- p Si -- n Si -- barrier height -- solar cells -- ion implantation