J. Physique Lett. 40, 19-22 (1979)
DOI: 10.1051/jphyslet:0197900400201900

Energy levels in electron irradiated n-type germanium

P.M. Mooney, M. Cherki et J.C. Bourgoin

Groupe de Physique des Solides de l'E.N.S., Université Paris 7, Tour 23, 2, place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05, France

Abstract
Deep levels introduced by room temperature 1 MeV electron irradiation in p+n photodiodes have been studied using deep level transient spectroscopy. Two electron traps and one hole trap have been observed after irradiation. A second hole trap is observed upon the annealing of the first hole trap. The energy levels associated with these traps, their cross-sections and their annealing behaviour have been determined.

Résumé
Les niveaux profonds introduits par irradiation à température ambiante avec des électrons de 1 MeV dans des photodiodes au germanium p+n ont été étudiés à l'aide de transitoires de capacité. Deux pièges à électron et un piège à trou sont observés après irradiation. Un second piège à trou apparait après guérison du premier piège à trou (à 300 °C). Les niveaux d'énergie associés à ces pièges, leurs sections de capture et leur comportement pendant la guérison ont été déterminés.

PACS
6180F - Electron and positron effects.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.

Key words
deep levels -- electron beam effects -- electron traps -- elemental semiconductors -- germanium -- hole traps -- photodiodes -- room temperature -- 1 MeV -- p sup + n photodiodes -- deep level transient spectroscopy -- electron traps -- hole trap -- annealing -- energy levels -- annealing behaviour -- n Ge -- cross sections -- electron irradiation -- deep levels -- energy levels