J. Physique Lett. 41, 87-90 (1980)
DOI: 10.1051/jphyslet:0198000410408700

Semiconductors : critical exponents of the unijunction transistor transition

J. Brini

Laboratoire « Physique des Composants à Semiconducteurs », E.N.S. d'Electronique et de Radioélectricité, 23, avenue des Martyrs, 38031 Grenoble Cedex, France

Abstract
The negative resistance phenomenon in the unijunction transistor is interpreted as a phase transition, for which the critical exponents β, γ' and δ are measured. Far from the critical point, these exponents have classical values : β = 1/2, γ' = 1, δ = 3. Close to the critical point, β and γ' decrease to 0.2 and 0.2 respectively.

Résumé
L'apparition d'une résistance négative dans le transistor unijonction est interprétée comme une transition de phase, dont on mesure les exposants critiques β, γ' et δ. Loin du point critique, les exposants ont les valeurs classiques : β = 1/2, γ' = 1, δ = 3. Près du point critique, β et γ' diminuent fortement : β = 0,2 et γ' = 0,2.

PACS
7220H - High field transport and nonlinear effects semiconductors/insulators.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
2560J - Bipolar transistors.

Key words
critical points -- negative resistance effects -- semiconductors -- unijunction transistors -- unijunction transistor transition -- negative resistance phenomenon -- critical exponents -- critical point -- semiconductors