J. Physique Lett. 43, 97-102 (1982)
DOI: 10.1051/jphyslet:0198200430309700

Laser induced crystallization of a-Si : H thin films

J. Hajtó, J. Gazsó, G. Zentai et I. Kósa Somogyi

Central Research Institute for Physics, H-1525 Budapest, P.O. Box 49, Hungary

Abstract
Crystallization in amorphous silicon thin films can be induced by irradiation from a continuous Ar-ion laser. Comparison with the solution of the heat-flow equation shows that the maximum temperature during the crystallization is about 770 °C, well below the melting temperature of the material.

Résumé
La cristallisation des films amorphes de a-Si : H peut être induite par un faisceau Ar-ion laser continu. La comparaison des résultats de l'expérience avec la résolution de l'équation de la densité de flux thermique montre que le maximum de température au cours de la cristallisation est voisin de 770 °C, considérablement plus bas que le point de fusion du silicium amorphe.

PACS
6140 - Structure of amorphous and polymeric materials.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.

Key words
amorphous semiconductors -- crystallisation -- elemental semiconductors -- hydrogen -- laser beam annealing -- semiconductor doping -- semiconductor thin films -- silicon -- amorphous film -- Si:H -- laser irradiation -- crystallization -- a Si:H -- thin films -- Ar ion laser -- heat flow equation -- maximum temperature