J. Physique Lett. 45, 873-876 (1984)
DOI: 10.1051/jphyslet:019840045017087300

Elaboration par épitaxie en phase liquide isotherme de photopiles solaires performantes à hétérostructure graduelle GaAlAs/GaAs

L. Mayet, M. Gavand, D. Dutartre et A. Laugier

Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 20, avenue Albert Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France

Abstract
High efficiency (p) Ga1-xAlxAs:Be-(p) GaAs : Be-(n) GaAs : Si solar cells are made by isothermal growth from a saturated solution. This simple procedure produces in a same time a diffused junction in the n type substrate and a thin (< 800 Å) graded band-gap window Ga1-xAlxAs layer. It is possible in a run to use several substrates.

Résumé
Des cellules solaires performantes à structure (p) Ga1- xAlxAs:Be-(p) GaAs:Be-(n) GaAs:Si sont réalisées par croissance isotherme à partir d'une solution saturée. Cette procédure simple produit à la fois une jonction diffusée dans le substrat de type n et une fenêtre Ga1-xAlxAs mince (< 800 Å) à gradient de bande interdite. Plusieurs structures peuvent être élaborées avec le même bain d'épitaxie.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
8115L - Deposition from liquid phases melts and solutions.
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
0510D - Epitaxial growth.
8420 - Solar cells and arrays.

Key words
aluminium compounds -- beryllium -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- liquid phase epitaxial growth -- p n heterojunctions -- semiconductor epitaxial layers -- silicon -- solar cells -- semiconductors -- p Ga sub 1 x Al sub x As:Be p GaAs:Be n GaAs:Si -- LPE growth -- high efficiency solar cells -- graded band gap GaAlAs GaAs heterostructures -- isothermal growth -- saturated solution -- diffused junction