J. Physique Lett. 41, 27-29 (1980)
DOI: 10.1051/jphyslet:0198000410202700

Ohmic contacts on sputtered a-Si : H

J.C. Bruyère et A. Deneuville

Groupe des Transitions de Phases, C.N.R.S., B.P. 166, 38042 Grenoble Cedex, France

Abstract
We show that ohmic contacts can be obtained by hydrogen depletion in a-Si : H. We obtain these ohmic contacts by diffusion of hydrogen into adjacent films of pure a-Si at 190 °C or Pd at room temperature.

Résumé
Nous montrons que des contacts ohmiques sont obtenus par pompage d'hydrogène contenu dans les films a-Si: H. Ces contacts ohmiques sont réalisés après diffusion de l'hydrogène dans les films adjaccnts de la structure tels que le « a-Si » à 190 °C ou le « Pd » à température ambiante.

PACS
6630J - Diffusion, migration, and displacement of impurities in solids.
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.
8115C - Deposition by sputtering.
2530D - Semiconductor metal interfaces.

Key words
amorphous semiconductors -- diffusion in solids -- elemental semiconductors -- hydrogen -- ohmic contacts -- silicon -- sputtered coatings -- a Si:H -- ohmic contacts -- Si films -- semiconductors -- H diffusion