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J. Physique Lett.
Volume 41, Number 5, mars 1980
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|---|---|---|
| Page(s) | 119 - 122 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyslet:01980004105011900 | |
J. Physique Lett. 41, 119-122 (1980)
DOI: 10.1051/jphyslet:01980004105011900
1 Departamento de Optica, Facultad de Ciencias, Universidad, Sevilla, Spain
2 Laboratoire de Physique des Matériaux, C.N.R.S.-Bellevue, 92190 Meudon, France
6170B - Interstitials and vacancies.
6220H - Creep.
Key words
diffusion creep -- niobium compounds -- vacancies crystal -- high temperature creep -- NiO -- single crystals -- steady state creep rate -- diffusion controlled creep mechanism -- stress -- 10 MPa to 150 MPa -- O sub 2 partial pressure -- O sub 2 vacancy concentration -- point defects
DOI: 10.1051/jphyslet:01980004105011900
Point defects and high temperature creep of NiO single crystals
J. Cabrera-Cano1 et J. Castaing21 Departamento de Optica, Facultad de Ciencias, Universidad, Sevilla, Spain
2 Laboratoire de Physique des Matériaux, C.N.R.S.-Bellevue, 92190 Meudon, France
Abstract
NiO single crystals have been crept in compression between 1 070 °C and 1 550 °C for stresses in the range 10 MPa-150 MPa. Oxygen partial pressures were varied between 10-5 atm. and air. The steady state creep rate seems to depend on the concentration of oxygen vacancies V"O, in agreement with an oxygen diffusion controlled creep mechanism.
Résumé
Des monocristaux de NiO ont été comprimés par fluage entre 1 070 °C et 1 550 °C sous des contraintes comprises entre 10 MPa et 150 MPa. La pression partielle d'oxygène varie entre 10-5 atm. et l'air. Le fluage stationnaire semble dépendre de la concentration de lacunes d'oxygène V"O, ce qui suggère un mécanisme de fluage dépendant de la diffusion de l'oxygène.
6170B - Interstitials and vacancies.
6220H - Creep.
Key words
diffusion creep -- niobium compounds -- vacancies crystal -- high temperature creep -- NiO -- single crystals -- steady state creep rate -- diffusion controlled creep mechanism -- stress -- 10 MPa to 150 MPa -- O sub 2 partial pressure -- O sub 2 vacancy concentration -- point defects