J. Physique Lett. 46, 1023-1030 (1985)
DOI: 10.1051/jphyslet:0198500460210102300

Transmission electron microscopy of semi-insulating Ga As deformed at room temperature and under confining pressure

A. Lefebvre, P. François et J. di Persio

Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide (L.A. 234), Université des Sciences et Techniques de Lille, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France

Abstract
Ga As single crystals have been deformed by compression at room temperature under a confining pressure of 600 MPa. Two competitive mechanisms of plastic deformation are proposed. The first mechanism is supported by the observation of mobile perfect (or slightly dissociated) α dislocations. The second mechanism involves less mobile widely dissociated β (or screw) dislocations. It is suggested that the large dissociation of these dislocations is due to the lower mobility of the 30° (β) partials.

Résumé
Des échantillons de Ga As sont déformés à température ambiante et sous une pression de confinement de 600 MPa. Deux mécanismes de deformation plastique sont proposés. Le premier s'appuie sur l'observation de dislocations α parfaites ou peu dissociées très mobiles. Le second mécanisme fait intervenir des dislocations β (ou vis) largement dissociées et moins mobiles. La dissociation de ces dislocations pourrait être due à une mobilité plus faible des dislocations partielles 30° (β).

PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6220F - Deformation and plasticity.

Key words
dislocation motion -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- plastic deformation -- screw dislocations -- transmission electron microscope examination of materials -- screw dislocations -- TEM -- semiconductor -- semi insulating GaAs -- room temperature -- confining pressure -- single crystals -- deformed -- compression -- mechanisms -- plastic deformation -- dislocations -- dissociation -- mobility