| Numéro |
J. Physique Lett.
Volume 35, Numéro 5, mai 1974
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| Page(s) | 77 - 80 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyslet:0197400350507700 | |
J. Physique Lett. 35, 77-80 (1974)
DOI: 10.1051/jphyslet:0197400350507700
Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud 91405 Orsay, France
7130 - Metal-insulator transitions and other electronic transitions.
Key words
TTF-TCNQ -- Semiconductor metal transition -- Electron phonon interaction -- Peierls transition -- Pressure effects -- Hydrostatic pressure
DOI: 10.1051/jphyslet:0197400350507700
Pressure investigation of the metal-semiconductor transition in TTF-TCNQ
D. Jérome, W. Müller et M. WegerLaboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud 91405 Orsay, France
Abstract
This note reports pressure data suggesting that the Peierls temperature in TTF-TCNQ decreases strongly under hydrostatic pressure and that the coupling of the electrons to an optical phonon is responsible for the metal-semiconductor transition.
Résumé
Nous présentons dans cette communication des résultats suggérant que la tempé.. rature de Peierls du TTF-TCNQ décroît fortement sous pression hydrostatique et que le couplage entre les électrons et un phonon optique est responsable de la transition métal-semiconducteur.
7130 - Metal-insulator transitions and other electronic transitions.
Key words
TTF-TCNQ -- Semiconductor metal transition -- Electron phonon interaction -- Peierls transition -- Pressure effects -- Hydrostatic pressure