Numéro
J. Physique Lett.
Volume 35, Numéro 5, mai 1974
Page(s) 77 - 80
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:0197400350507700
J. Physique Lett. 35, 77-80 (1974)
DOI: 10.1051/jphyslet:0197400350507700

Pressure investigation of the metal-semiconductor transition in TTF-TCNQ

D. Jérome, W. Müller et M. Weger

Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud 91405 Orsay, France


Abstract
This note reports pressure data suggesting that the Peierls temperature in TTF-TCNQ decreases strongly under hydrostatic pressure and that the coupling of the electrons to an optical phonon is responsible for the metal-semiconductor transition.


Résumé
Nous présentons dans cette communication des résultats suggérant que la tempé.. rature de Peierls du TTF-TCNQ décroît fortement sous pression hydrostatique et que le couplage entre les électrons et un phonon optique est responsable de la transition métal-semiconducteur.

PACS
7130 - Metal-insulator transitions and other electronic transitions.

Key words
TTF-TCNQ -- Semiconductor metal transition -- Electron phonon interaction -- Peierls transition -- Pressure effects -- Hydrostatic pressure