J. Physique Lett. 36, 157-160 (1975)
DOI: 10.1051/jphyslet:01975003605015700

Cluster calculations of the electronic d-states in VO2

C. Sommers¹, R. De Groot², D. Kaplan³ et A. Zylbersztejn<sup>3

1</sup>  Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris XI, 91405 Orsay, France
²  Centre de Calcul Atomique et Moléculaire, 91401 Orsay, France
³  Laboratoire Central de Recherches, Thomson-C.S.F., 91401 Orsay, France

Abstract
An ab-initio cluster calculation of the electronic d-states in VO 2 has been made by using the self-consistent statistical exchange multiple scattering method. A VO8-6 octaedron was used to represent the tetragonal phase, and a V2O12-10 cluster with paired vanadium atoms was used for the monoclinic phase. Our results are in conflict with an explanation of the semiconducting gap in terms of simple distortion-induced band splitting.

Résumé
Un calcul des états électroniques d de VO2 à partir des premiers principes a été effectué. On utilise, de manière auto-cohérente, la méthode par diffusion multiple, avec traitement statistique de l'échange. Un octaèdre VO86 - a été utilisé pour représenter la phase tétragonale et un amas V2O12-10 avec des atomes de vanadium appariés a été utilisé pour la phase monoclinique. Les résultats obtenus sont en contradiction avec une explication de l'origine de la bande interdite du semiconducteur en terme de séparation de bandes induite par la distorsion.

PACS
7125T - Electronic structure of crystalline semiconductor compounds and insulators.
7130 - Metal insulator transitions and other electronic transitions.

Key words
band structure -- metal insulator transition -- vanadium compounds -- electronic d states -- self consistent statistical exchange multiple scattering method -- distortion induced band splitting -- cluster calculations -- vo sub 2 -- tetragonal phase -- monoclinic phase -- semiconducting gap