| Numéro |
J. Physique Lett.
Volume 37, Numéro 10, octobre 1976
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| Page(s) | 243 - 245 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyslet:019760037010024300 | |
J. Physique Lett. 37, 243-245 (1976)
DOI: 10.1051/jphyslet:019760037010024300
Laboratoire d'Electronique Automatique et Mesures Electriques, Ecole Centrale de Lyon, B.P. 163, 69130 Ecully, France
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
2530B - Semiconductor junctions.
Key words
semiconductor junctions -- solid state plasma -- lateral spreading velocity -- electron hole plasma -- p sup + nu p sup + structure
DOI: 10.1051/jphyslet:019760037010024300
Experimental determination of the lateral spreading velocity of an electron-hole plasma confined in a P+ ν P+ structure
J.P. Chante et J.J. UrgellLaboratoire d'Electronique Automatique et Mesures Electriques, Ecole Centrale de Lyon, B.P. 163, 69130 Ecully, France
Abstract
A method is proposed, using a triac like structure, to measure the spreading velocity of the plasma in the ν layer. For a ν layer width of 150 μm the spreading velocity is found to be equal to 100 μm/μs.
Résumé
Nous proposons une méthode utilisant un triac pour mesurer la vitesse d'étalement d'un plasma situé dans la couche v. Pour une couche ν dont l'épaisseur est de 150 μm cette vitesse est de 100 μm/μs.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
2530B - Semiconductor junctions.
Key words
semiconductor junctions -- solid state plasma -- lateral spreading velocity -- electron hole plasma -- p sup + nu p sup + structure