J. Physique Lett. 37, 309-312 (1976)
DOI: 10.1051/jphyslet:019760037011030900

Observation de défauts cristallins en microscopie électronique à balayage

M. Pitaval, P. Morin, J. Baudry et G. Fontaine

Département de Physique des Matériaux , Université Claude Bernard Lyon I, 43 Bd du 11 Novembre 1918, 69621 Villeurbanne, France

Abstract
Dislocations and stacking faults are observed in Scanning Electron Microscopy in transmission or reflection from thin films. For thick samples, dislocations are observed when slow backscattered electrons are removed by an energy filter.

Résumé
Dislocations et fautes d'empilement sont observées en microscopie électronique à balayage soit en transmission, soit par réflexion sur des films minces. Sur des échantillons massifs les dislocations sont visualisées en filtrant les électrons rétrodiffusés.

PACS
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6170P - Stacking faults, stacking fault tetrahedra and other planar or extended defects.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.

Key words
dislocations -- scanning electron microscope examination of materials -- stacking faults -- thin films -- crystal defects -- scanning electron microscopy -- stacking faults -- thin films -- dislocations -- slow backscattered electrons -- energy filter