J. Physique Lett. 38, 41-43 (1977)
DOI: 10.1051/jphyslet:0197700380104100

Temperature dependence of ionization energies of deep bound states in semiconductors

A. Mircea¹, A. Mitonneau¹ et J. Vannimenus<sup>2

1</sup>  Laboratoires d'Electronique et de Physique appliquée, 3, avenue Descartes, 94450 Limeil-Brévannes, France
²  Groupe de Physique des Solides, Ecole Normale Supérieure, 75231 Paris, France

Abstract
We explain that the temperature coefficient of the ionization energy of a deep level can be determined from measurements of carrier emission rate and capture rate, using transient capacitance techniques such as DLTS. Two electron traps and three hole traps in GaAs are examined as an illustration. One of the hole traps appears to be strongly pinned to the conduction band.

Résumé
Nous proposons que le coefficient de température de l'énergie d'ionisation d'un niveau profond soit déterminé à partir de mesures des taux d'émission et de capture des porteurs, à l'aide des techniques de capacité transitoire telles que DLTS. Pour illustrer la méthode nous examinons deux pièges à électrons et trois pièges à trous dans GaAs. Un des pièges à trous semble conserver une différence d'énergie constante par rapport à la bande de conduction.

PACS
7155 - Impurity and defect levels.

Key words
deep impurities -- electron traps -- gallium arsenide -- hole traps -- III V semiconductors -- semiconductors -- deep bound states -- semiconductors -- temperature coefficient -- ionization energy -- carrier emission rate -- capture rate -- transient capacitance techniques -- electron traps -- hole traps -- GaAs -- conduction band