J. Physique Lett. 39, 257-260 (1978)
DOI: 10.1051/jphyslet:019780039015025700

The distribution of phosphorus and gold in neutron irradiated silicon

F. Bénière et V.K. Agrawal

Laboratoire de Physique des Matériaux, Institut Universitaire de Technologie, 22302 Lannion, France

Abstract
The uniformity of phosphorus concentration produced by nuclear transmutation and the distribution of other elements such as gold have been studied to observe the possible influence of the neutron flux at a microscopic level in neutron irradiated silicon. Two techniques were used : i) electrochemical sectioning and ii) mechanical sectioning. Both methods show that the phosphorus concentration is uniform throughout. Gold, on the other hand, is concentrated at the surface.

Résumé
L'homogénéité de la concentration de phosphore créé par transmutation nucléaire ainsi que la distribution d'autres éléments tels que l'or ont été étudiées dans le but d'examiner l'influence à l'échelle microscopique du flux de neutrons dans du silicium irradié aux neutrons. Deux techniques ont été utilisées : i) sectionnement électrochimique et ii) sectionnement mécanique. Les deux méthodes montrent que la concentration de phosphore est uniforme. L'or, au contraire, est concentré à la surface.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
6170W - Impurity concentration, distribution, and gradients.
6180H - Neutron effects.
2520C - Elemental semiconductors.
2550B - Semiconductor doping.

Key words
elemental semiconductors -- gold -- impurity distribution -- neutron effects -- phosphors -- semiconductor doping -- silicon -- neutron irradiated -- nuclear transmutation -- electrochemical sectioning -- mechanical sectioning -- Au distribution -- P distribution -- Si -- semiconductor