| Numéro |
J. Physique Lett.
Volume 40, Numéro 11, juin 1979
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| Page(s) | 223 - 225 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyslet:019790040011022300 | |
J. Physique Lett. 40, 223-225 (1979)
DOI: 10.1051/jphyslet:019790040011022300
Office National d'Etudes et de Recherches Aérospatiales, 92320 Châtillon, France
5275 - Plasma devices and applications.
5280D - Low field and Townsend discharges.
8160 - Corrosion, oxidation, etching, and other surface treatments.
Key words
discharges electric -- plasma applications -- radiofrequency sputtering -- sputter etching -- ion energy -- RF plasma etching -- kinetic energy -- wafer -- gas discharge
DOI: 10.1051/jphyslet:019790040011022300
Plasma physics : ion energy in RF plasma etching
J. TailletOffice National d'Etudes et de Recherches Aérospatiales, 92320 Châtillon, France
Abstract
In RF plasma etching, the kinetic energy of the ions impinging upon the wafer can be easily computed from the value of four characteristic parameters of the gas discharge.
Résumé
On montre que l'énergie cinétique des ions bombardant le substrat dans le procédé de gravure par plasma à haute fréquence est donnée par une expression simple en fonction de quatre paramètres caractérisant la décharge.
5275 - Plasma devices and applications.
5280D - Low field and Townsend discharges.
8160 - Corrosion, oxidation, etching, and other surface treatments.
Key words
discharges electric -- plasma applications -- radiofrequency sputtering -- sputter etching -- ion energy -- RF plasma etching -- kinetic energy -- wafer -- gas discharge