J. Physique Lett. 41, 415-418 (1980)
DOI: 10.1051/jphyslet:019800041017041500

The fine structure and the origin of the 0.84 eV no-phonon luminescence in GaAs : Cr

F. Voillot, J. Barrau, M. Brousseau et J.C. Brabant

Laboratoire de Physique des Solides, I.N.S.A., Département de Physique, Avenue de Rangueil, 31077 Toulouse Cedex, France

Abstract
We have performed high resolution luminescence spectroscopy of a chromium related no-phonon multiplet. We deduce a new level scheme. This scheme and the oscillator strengths are conveniently interpreted as arising from transitions at substitutional Cr2+ ions on a Ga-site subjected to a perturbation of C3V symmetry.

Résumé
Nous avons effectué des expériences de spectroscopie à haute résolution sur la luminescence à 0,84 eV émise par GaAs : Cr. Nous obtenons un nouveau schéma des niveaux d'énergie. Ce schéma ainsi que les forces d'oscillateur sont bien interprétés en considérant l'émission par l'ion Cr2+ en site Ga soumis à une perturbation de symétrie C3V.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7855D - Photoluminescence in tetrahedrally bonded nonmetals.

Key words
chromium -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- impurity electron states -- luminescence of inorganic solids -- oscillator strengths -- photoluminescence -- fine structure -- 0.84 eV -- GaAs:Cr -- high resolution luminescence spectroscopy -- multiplet -- level scheme -- oscillator strengths -- substitutional Cr sup 2+ ions -- no phonon luminescence origin -- C sub 3V symmetry perturbation -- photoluminescence