Numéro
J. Physique Lett.
Volume 43, Numéro 11, juin 1982
Page(s) 401 - 404
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:019820043011040100
J. Physique Lett. 43, 401-404 (1982)
DOI: 10.1051/jphyslet:019820043011040100

Optical properties of Xe under very high pressure

J.M. Besson1, J.-P. Itie1, G. Weill2 et I. Makarenko2

1  Laboratoire de Physique des Solides (Equipe Semiconducteurs)
2  Département des Hautes Pressions, Université Pierre et Marie Curie, T13-E4, 4, pl. Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France


Abstract
Xenon has been studied in the diamond anvil cell up to 63 GPa. It does not exhibit any insulator → metal transition, contrary to previous reports. The absorption observed shows that its bandgap is still several electron-volts in this range of pressures. Band closing should not occur in Xe before 100 GPa (1 Mbar) if the f.c.c. structure remains stable.


Résumé
Le xénon a été étudié, dans l'enclume diamant jusqu'à 63 GPa. Aucune transition vers un état métallique n'a été observée, ce qui contredit certains résultats antérieurs. La limite d'absorption observée montre qu'il a encore dans ce domaine de pressions, une bande interdite de plusieurs eV. Le croisement des bandes ne doit pas se produire, dans le xénon au-dessous de 100 GPa (1 Mbar) si la structure c.f.c. reste stable.

PACS
7125T - Electronic structure of crystalline semiconductor compounds and insulators.
7820D - Optical constants and parameters condensed matter.
7840H - Visible and ultraviolet spectra of other nonmetals.

Key words
energy gap -- high pressure effects in solids -- refractive index -- visible and ultraviolet spectra of inorganic solids -- xenon -- solid Xe -- optical properties -- refractive index -- Xe -- very high pressure -- diamond anvil cell -- absorption -- bandgap