Numéro |
J. Physique Lett.
Volume 44, Numéro 7, avril 1983
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Page(s) | 257 - 264 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyslet:01983004407025700 |
DOI: 10.1051/jphyslet:01983004407025700
Observation of a new memory effect in a modulated structure
J.P. Jamet et P. LedererLaboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, Bâtiment 510, 91405 Orsay, France
Abstract
We report the first observation of a new memory effect in a modulated structure (deuterated thiourea). We present a qualitative explanation of this effect in terms of mobile defects, or impurities, interacting with the modulation order parameter. We show that this effect can be used to obtain the lines of constant modulation wavevector in the E, T plane of the phase diagram, by thermodynamic methods. We suggest that a similar periodic modulation of defect concentration occurs in CDW systems, like NbSe 3, and accounts for the non linearity induced by the electric field. (CDW : Charge Density Wave.)
Résumé
Nous décrivons la première observation d'un nouvel effet de mémoire dans une structure modulée (thiourée deutériée). Nous présentons une explication qualitative de cet effet basée sur l'interaction de défauts ou d'impuretés mobiles avec le paramètre d'ordre de la modulation. Nous montrons que cet effet peut être utilisé pour obtenir les lignes d'égal vecteur d'onde de modulation dans le plan E, T du diagramme de phase par des méthodes thermodynamiques. Nous suggérons que les systèmes à ODC comme NbSe3 présentent eux aussi une modulation périodique de concentration de défauts, ce qui rendrait compte des effets non linéaires en champ électrique. (ODC : Onde de Densité de Charge.)
6170 - Defects in crystals.
6470K - Solid solid transitions.
7820F - Birefringence condensed matter.
Key words
birefringence -- crystal defects -- hysteresis -- impurities -- optical susceptibility -- organic compounds -- phase diagrams -- dielectric susceptibility -- linear birefringence -- thermal hysteresis -- thermal cycle -- memory effect -- modulated structure -- deuterated thiourea -- mobile defects -- impurities -- modulation order parameter -- lines of constant modulation wavevector -- phase diagram -- thermodynamic methods -- CDW systems -- NbSe sub 3