| Numéro |
J. Physique Lett.
Volume 44, Numéro 24, décembre 1983
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| Page(s) | 1027 - 1034 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyslet:0198300440240102700 | |
J. Physique Lett. 44, 1027-1034 (1983)
DOI: 10.1051/jphyslet:0198300440240102700
1 Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau, France
2 Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau and Equipe de Physique Atomique, Tour 24, Université Paris V, 75251 Paris 05, France
7960E - Photoelectron spectra of semiconductors and insulators.
Key words
gallium arsenide -- hot carriers -- photoelectron spectra -- spin polarised electron emission -- photoelectron energy distribution -- semiconductor -- nonthermalised electron effects -- high resolution electron energy distribution -- spin polarization -- activated GaAs crystal -- hot electron spin relaxation -- band bending region
DOI: 10.1051/jphyslet:0198300440240102700
Photoelectron energy distribution and spin polarization from activated gallium arsenide
H.-J. Drouhin1, C. Hermann1, M. Eminyan2 et G. Lampel11 Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau, France
2 Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau and Equipe de Physique Atomique, Tour 24, Université Paris V, 75251 Paris 05, France
Abstract
High resolution electron energy distribution and spin polarization measurements of photoelectrons emitted from an activated GaAs crystal are reported. Non-thermalized electron effects and the significance of hot electron spin relaxation as well as the influence of the band bending region are evidenced.
Résumé
Des mesures de distribution en énergie à haute résolution et de polarisation de spin ont été effectuées sur des photoélectrons émis par un cristal d'arséniure de gallium activé. Les effets d'électrons non-thermalisés, l'importance de la relaxation de spin pour les électrons chauds ainsi que l'influence de la région de courbure de bande sont mis en évidence.
7960E - Photoelectron spectra of semiconductors and insulators.
Key words
gallium arsenide -- hot carriers -- photoelectron spectra -- spin polarised electron emission -- photoelectron energy distribution -- semiconductor -- nonthermalised electron effects -- high resolution electron energy distribution -- spin polarization -- activated GaAs crystal -- hot electron spin relaxation -- band bending region