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Article cité :

Augmentation de la hauteur de barrière de diodes de Schottky au silicium : Application aux cellules solaires

J.P. Ponpon, P. Siffert

J. Physique Lett., 36 5 (1975) 149-151

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyslet:01975003605014900

Citations de cet article :

Temperature-dependent characteristics of Tantalum and Tantalum nitride based p-Si structures

Md Tohidul Islam, Hasan Efeoǧlu and Abdulmecit Turut
Materials Science in Semiconductor Processing 195 109645 (2025)
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109645

On the Role of Inversion Layer, Electronic Density of States and Interfacial Layer on the Barrier Height Formation of Amorphous-Silicon Schottky Diodes

C. Manfredotti and K. K. Sharma
MRS Proceedings 118 (1988)
https://doi.org/10.1557/PROC-118-463

Engineered Schottky barrier diodes for the modification and control of Schottky barrier heights

S. J. Eglash, N. Newman, S. Pan, D. Mo, K. Shenai, W. E. Spicer, F. A. Ponce and D. M. Collins
Journal of Applied Physics 61 (11) 5159 (1987)
https://doi.org/10.1063/1.338290

Barrier height modification in heat-treated aluminium Schottky diodes on hydrogenated amorphous silicon

K.V. Krishna, S. Guha and K.L. Narasimhan
Solar Cells 4 (2) 153 (1981)
https://doi.org/10.1016/0379-6787(81)90065-X

Volume Measurements and Transitions of MBBA at High Pressures

Edwin A. S. Lewis, Herbert M. Strong and Glenn H. Browns
Molecular Crystals and Liquid Crystals 53 (1-2) 89 (1979)
https://doi.org/10.1080/00268947908083987