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J. Physique Lett.
Volume 36, Numéro 12, décembre 1975
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| Page(s) | 305 - 308 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyslet:019750036012030500 | |
DOI: 10.1051/jphyslet:019750036012030500
Resistivity annealing properties of aluminium thin films after ion implantation at liquid helium temperatures
A.M. Lamoise1, J. Chaumont1, F. Meunier2 et H. Bernas31 Laboratoire René Bernas du Centre de Spectrométrie Nucléaire et Spectrométrie de Masse, 91406 Orsay, France
2 Laboratoire de Physique des Solides Université Paris-Sud, 91406 Orsay, France
3 Institut de Physique Nucléaire, Université Paris-Sud, 91406 Orsay, France
Abstract
We present the first resistivity annealing curves of Al after implantation of Al-, H-, and O-ions at liquid helium temperatures. The Al-implantation produces a curve resembling that of neutron-irradiated Al ; low-dose H- implantation results in two strongly enhanced stage I recovery peaks, while high-dose H- implantation annealing results suggest that H-ordering or a phase transformation takes place.
Résumé
Nous présentons les premiers résultats de recuit de résistivité pour des couches minces d'aluminium après implantation d'ions Al, H et O à des températures inférieures à 6 K. La courbe de recuit après implantation d'ions Al est semblable à celle obtenue après irradiation aux neutrons. L'implantation d'ions H à faible dose fait apparaitre deux pics très marqués au stade I du recuit. Après implantation de fortes doses d'hydrogène, la courbe de recuit indique la possibilité d'un ordre des ions H ou bien d'une transformation de phase.
6170T - Doping and implantation of impurities.
6180J - Ion beam effects.
7215E - Electrical and thermal conduction in crystalline metals and alloys.
7360D - Electrical properties of metals and metallic alloys thin films/low dimensional structures.
Key words
aluminium -- annealing -- electrical conductivity of solid metals and alloys -- hydrogen ions -- ion beam effects -- ion implantation -- metallic thin films -- oxygen -- recovery -- resistivity annealing curves -- stage I recovery peaks -- Al thin film -- Al ion implantation -- ordering -- H ion implantation -- O ion implantation -- liquid He temperatures -- phase transformations