Numéro
J. Physique Lett.
Volume 36, Numéro 12, décembre 1975
Page(s) 305 - 308
DOI https://doi.org/10.1051/jphyslet:019750036012030500
J. Physique Lett. 36, 305-308 (1975)
DOI: 10.1051/jphyslet:019750036012030500

Resistivity annealing properties of aluminium thin films after ion implantation at liquid helium temperatures

A.M. Lamoise1, J. Chaumont1, F. Meunier2 et H. Bernas3

1  Laboratoire René Bernas du Centre de Spectrométrie Nucléaire et Spectrométrie de Masse, 91406 Orsay, France
2  Laboratoire de Physique des Solides Université Paris-Sud, 91406 Orsay, France
3  Institut de Physique Nucléaire, Université Paris-Sud, 91406 Orsay, France


Abstract
We present the first resistivity annealing curves of Al after implantation of Al-, H-, and O-ions at liquid helium temperatures. The Al-implantation produces a curve resembling that of neutron-irradiated Al ; low-dose H- implantation results in two strongly enhanced stage I recovery peaks, while high-dose H- implantation annealing results suggest that H-ordering or a phase transformation takes place.


Résumé
Nous présentons les premiers résultats de recuit de résistivité pour des couches minces d'aluminium après implantation d'ions Al, H et O à des températures inférieures à 6 K. La courbe de recuit après implantation d'ions Al est semblable à celle obtenue après irradiation aux neutrons. L'implantation d'ions H à faible dose fait apparaitre deux pics très marqués au stade I du recuit. Après implantation de fortes doses d'hydrogène, la courbe de recuit indique la possibilité d'un ordre des ions H ou bien d'une transformation de phase.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
6180J - Ion beam effects.
7215E - Electrical and thermal conduction in crystalline metals and alloys.
7360D - Electrical properties of metals and metallic alloys thin films/low dimensional structures.

Key words
aluminium -- annealing -- electrical conductivity of solid metals and alloys -- hydrogen ions -- ion beam effects -- ion implantation -- metallic thin films -- oxygen -- recovery -- resistivity annealing curves -- stage I recovery peaks -- Al thin film -- Al ion implantation -- ordering -- H ion implantation -- O ion implantation -- liquid He temperatures -- phase transformations