J. Physique Lett. 45, 907-911 (1984)
DOI: 10.1051/jphyslet:019840045018090700

Using SPICE for the modelization of the static behaviour of the insulated gate transistor

F. Gaffiot, J.P. Chante et M. Le Helley

Laboratoire d'Electronique, Automatique et Mesures Electriques de l'Ecole Centrale de Lyon, 36, avenue de Collongue, B.P. 163, 69131 Ecully Cedex, France

Abstract
A new application of a circuit simulation program (SPICE) is presented. The static behaviour of a complex bipolar device (COMFET or IGT) is analysed from an equivalent circuit including the physical components of the real device. It is possible to infer about technological parameters to improve the working of the IGT.

Résumé
Une nouvelle application d'un programme de simulation de circuits (SPICE) est présentée ci-dessous. Le comportement statique d'un composant bipolaire complexe (IGT) est analysé à partir d'un circuit équivalent faisant apparaître les paramètres physiques du dispositif réel. Cette analyse permet de modifier les paramètres technologiques afin d'améliorer le fonctionnement du transistor à grille isolée (IGT).

PACS
1130 - General circuit analysis and synthesis methods.
2560B - Semiconductor device modelling and equivalent circuits.
2560J - Bipolar transistors.
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
bipolar transistors -- equivalent circuits -- insulated gate field effect transistors -- semiconductor device models -- static behaviour modelisation -- conductivity modulation FET -- IGFET -- semiconductor device modelling -- insulated gate transistor -- circuit simulation program -- SPICE -- complex bipolar device -- COMFET -- IGT -- equivalent circuit -- technological parameters